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芯片解密 >> WINBOND单片机解密 >> W79E8213芯片解密,Winbond单片机解密

W79E8213芯片解密,Winbond单片机解密

分类:WINBOND单片机解密 | 发布:2010-10-30 15:47:17

针对W79E8213芯片解密,斯曼迪深圳芯片解密中心面提供结构优惠的W79E8213单片机解密及其他华邦Winbond系列单片机解密,芯片解密,芯片程序提取服务。斯曼迪在针对WINBOND单片机解密的技术研究中已取得重要突破,对多个类型的华邦单片机均实现了成功破解,并通过反复实验研究和多次芯片解密验证,可以为每一款华邦芯片提供最具可靠性和价格优势的华邦芯片解密服务。
W79E8213系列芯片包括一个8位的4吨- 8051具有闪存EPROM微控制器是可编程的ICP(在电路程序)或硬件作家。该指令集的W79E8213系列完全兼容标准的8052。该系列包含W79E8213主要闪存EPROM的一个4K字节;一个128字节的RAM,两个16位定时器/计数器,4通道10位PWM,3边缘检测器输入,8通道多路10位A / D转换。该W79E8213系列支持128字节的NVM数据Flash EPROM中。这些外设都支持10来源4级中断能力。为方便编程和验证,内W79E8213系列闪存EPROM允许程序存储器进行编程和读取电子。一旦代码确定后,用户可以保障安全的代码。

W79E8213系列单片机的主要特性
全静态设计的8位4吨,8051的CMOS微控制器:
- 电压Vdd = 4.5V至5.5V @ 20MHz的
- 电压Vdd = 2.7V至5.5V @ 12MHz的
- 电压Vdd = 2.4V至5.5V @ 4MHz的
指令与海安- 51兼容。
灵活的CPU时钟源可配置的配置位和软件:
- 高速外部振荡器:20MHz的晶体谐振器upto(由配置位启用)。
- 内部RC振荡器:由配置位20/10MHz可选,只有W79E8213R支持?02%的准确度的内部固定电压和温度条件下RC振荡器。
4K字节的AP Flash EPROM中的ICP和外部作家,可编程模式。
128片内RAM字节。
W79E8213系列支持128个字节用于存储客户数据和10K作家周期的NVM数据Flash EPROM中。
- 8页。页面大小是16字节。
2个16位定时器/计数器。
10个中断源4个优先级。
三边缘检测中断输入。
可编程看门狗定时器。
四通道10位PWM(脉宽调制器)。
内部的蜂鸣器方波发生器。
最多18个I / O引脚。
这4个输出模式和TTL /施密特触发器可选端口。
LED驱动能力(20mA的)所有端口引脚。欣克20mA的;车道:-15?- 20mA的@推挽模式。
8个高汇能力(四十○毫安)端口引脚。
8通道复用10位的A / D转换。
低电压检测和复位的中断。
开发工具:
- 电感耦合等离子体(在电路编程)

基于W79E8213单片机的以上特点,斯曼迪深圳芯片解密中心能在短时间内为您完成W79E8213芯片解密等WINBOND单片机解密服务。如果您有W79E8213单片机解密或其他WINBOND单片机解密需求,欢迎来电来访咨询洽谈。联系电话:0755-25895856
 

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